BDV64BG 供应商
BDV64BG 属性参数
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：10A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：2V @ 20mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 5A，4V
- 功率 - 最大：125W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-218-3
- 供应商设备封装：SOT-93
- 包装：管件
- 其它名称：BDV64BG-NDBDV64BGOS
BDV64BG