BD159G 属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：350V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：-
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 50mA，10V
- 功率 - 最大：20W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
- 供应商设备封装：TO225AA
- 包装：散装
- 其它名称：BD159G-NDBD159GOS