BCW30LT1G 供应商
BCW30LT1G 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：32V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：215 @ 2mA，5V
- 功率 - 最大：225mW
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BCW30LT1G-NDBCW30LT1GOSTR