APTGT200A602G 供应商
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APTGT200A602G
品牌：Microsemi Corporation 封装/批号：标准封装/23+ -
APTGT200A602G
品牌：Microsemi Corporation 封装/批号：标准封装/23+
APTGT200A602G 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：半导体模块
- 家庭：IGBT
- 系列：-
- IGBT 类型：沟道和场截止
- 配置：半桥
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.9V @ 15V，200A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：290A
- 电流 - 集电极截止（最大）：50µA
- Vce 时的输入电容 (Cies)：12.3nF @ 25V
- 功率 - 最大：625W
- 输入：标准型
- NTC 热敏电阻：无
- 安装类型：*
- 封装/外壳：*
- 供应商设备封装：*