APTGF50DDA120T3G 供应商
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APTGF50DDA120T3G
品牌：Microsemi Corporation 封装/批号：标准封装/23+ -
APTGF50DDA120T3G
品牌：Microsemi Corporation 封装/批号：标准封装/23+
APTGF50DDA120T3G 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：半导体模块
- 家庭：IGBT
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 配置：双路升压斩波器
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：3.7V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：70A
- 电流 - 集电极截止（最大）：250µA
- Vce 时的输入电容 (Cies)：3.45nF @ 25V
- 功率 - 最大：312W
- 输入：标准型
- NTC 热敏电阻：是
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP3
- 供应商设备封装：SP3