APT66F60B2 供应商
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APT66F60B2
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-3PN/2024+
APT66F60B2 属性参数
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：POWER MOS 8™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：70A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 33A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 2.5mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：330nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：13190pF @ 25V
- 功率 - 最大：1135W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3 变式
- 供应商设备封装：T-MAX? [B2]
- 包装：管件