APT30M60J 供应商
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APT30M60J
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
APT30M60J
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
APT30M60J
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
APT30M60J
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:全新原装/23+ -
APT30M60J
品牌:美高森美 封装/批号:全新原装/23+ -
APT30M60J
品牌:Microsemi 封装/批号:标准封装/21+ -
APT30M60J
品牌:IXFN 封装/批号:EA/21+ -
APT30M60J
品牌:IXYS/艾赛斯 封装/批号:TRAY/22+ -
APT30M60J
品牌:艾赛斯IXYS 封装/批号:Tray/21+ -
APT30M60J
品牌:MICROSEM 封装/批号:MODULE/23+
APT30M60J 属性参数
- 标准包装:10
- 类别:半导体模块
- 家庭:FET
- 系列:POWER MOS 8™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:31A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 21A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:215nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:5890pF @ 25V
- 功率 - 最大:355W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装:ISOTOP?
- 包装:管件