AOW11S65 供应商
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AOW11S65
品牌：AOS/万代 封装/批号：TO-262/21+
AOW11S65 属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：aMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：650V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：399 毫欧 @ 5.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：13.2nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：646pF @ 100V
- 功率 - 最大：198W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件