AON6454A 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：150V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：38 毫欧 @ 20A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.6V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：40nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2055pF @ 75V
- 功率 - 最大：2.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-DFN-EP（5x6）
- 包装：带卷 (TR)