AOI11S60 属性参数
- 标准包装：70
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：aMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：399 毫欧 @ 3.8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：545pF @ 100V
- 功率 - 最大：208W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：*
- 包装：管件