IC元器件

2SK3666-2-TB-E

参考价格：$0.08653

ON Semiconductor JFET（结点场效应

2SK3666-2-TB-E 供应商

2SK3666-2-TB-E 属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：JFET（结点场效应
  • 系列：-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：600µA @ 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 漏极电流 (Id) - 最大：10mA
  • FET 型：N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：180mV @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4pF @ 10V
  • 电阻 - RDS（开）：200 欧姆
  • 安装类型：表面贴装
  • 包装：带卷 (TR)
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：3-CP
  • 功率 - 最大：200mW

2SK3666-2-TB-E 数据手册

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