2SB1386T100Q 供应商
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2SB1386T100Q
品牌:ROHM/ELNAF 封装/批号:SOT-89/1820+
2SB1386T100Q 属性参数
- 标准包装:1,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 100mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 500mA,2V
- 功率 - 最大:2W
- 频率 - 转换:120MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:MPT3
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:2SB1386T100Q-ND2SB1386T100QTR