2SB1132T100Q 供应商
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2SB1132T100Q
品牌：ROHM 封装/批号：??μ/20+ -
2SB1132T100Q
品牌：ROHM/ELNAF 封装/批号：SOT89/1817+
2SB1132T100Q 属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：32V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：120 @ 100mA，3V
- 功率 - 最大：2W
- 频率 - 转换：150MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-243AA
- 供应商设备封装：MPT3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2SB1132T100QTR