IC元器件

2SA2016-TD-E

参考价格：$0.6645

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

2SA2016-TD-E 供应商

2SA2016-TD-E 属性参数

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 40mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大：3.5W
  • 频率 - 转换：330MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-243AA
  • 供应商设备封装：PCP
  • 包装：带卷 (TR)

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