2N7002LT1G 供应商
-
2N7002LT1G 原装现货
品牌:ON 封装/批号:/ -
2N7002LT1G 原装现货
品牌:ON 封装/批号:SOT23/18+ -
2N7002LT1G
品牌:0N 封装/批号:NA/2022+ -
2N7002LT1G
品牌:ON/安森美 封装/批号:SOT-23/24+ -
2N7002LT1G
品牌:ON/安森美 封装/批号:SOT23-3/2024 -
2N7002LT1G
品牌:ON 封装/批号:SOT-23/ -
2N7002LT1G
品牌:Onsemi 封装/批号:??μ/19 -
2N7002LT1G
品牌:ON 封装/批号:SOT23/1549+ -
2N7002LT1G
品牌:ON/安森美 封装/批号:SOT-23/21+ -
2N7002LT1G
品牌:ON 封装/批号:/1511+
2N7002LT1G 属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:115mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
- 功率 - 最大:225mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:2N7002LT1GOSTR