2N7002K-T1-GE3 供应商
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2N7002K-T1-GE3
品牌:Vishay 封装/批号:NA/2022+ -
2N7002K-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:SMD/23+ -
2N7002K-T1-GE3
品牌:VISHAY/威世 封装/批号:SOT23/21+ -
2N7002K-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:SOT23-3/22+授权代理 -
2N7002K-T1-GE3
品牌:VISHAY 封装/批号:SOT-23/21+ -
2N7002K-T1-GE3
品牌:分立式器件/分立式半导体 封装/批号:Vishay/连可连代销V -
2N7002K-T1-GE3
品牌: 封装/批号:TSSOP/23+
2N7002K-T1-GE3 属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:300mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2 欧姆 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:0.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:30pF @ 25V
- 功率 - 最大:350mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:2N7002K-T1-GE3-ND2N7002K-T1-GE3TR