2N7002E-T1-GE3 供应商
-
2N7002E-T1-GE3
品牌： 封装/批号：Vishay/连可连代销V
2N7002E-T1-GE3 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：240mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 250mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：21pF @ 5V
- 功率 - 最大：350mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236
- 包装：带卷 (TR)