IC元器件

2N7002E-T1-E3

参考价格：$0.07

FET - 单

2N7002E-T1-E3 供应商

2N7002E-T1-E3 属性参数

  • 数据列表：2N7002E
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：240mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 250mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：21pF @ 5V
  • 功率 - 最大：350mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)

2N7002E-T1-E3 数据手册

2N7002E-T1-E3 相关产品