2N6284G 属性参数
- 标准包装：100
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：20A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 200mA，20A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：750 @ 10A，3V
- 功率 - 最大：160W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-204AA，TO-3
- 供应商设备封装：TO-3
- 包装：托盘
- 其它名称：2N6284GOS
2N6284G