2N4918G 属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：500µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 500mA，1V
- 功率 - 最大：30W
- 频率 - 转换：3MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
- 供应商设备封装：TO225AA
- 包装：散装
- 其它名称：2N4918GOS
2N4918G