2N3055G 供应商
2N3055G 属性参数
- 标准包装：100
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：15A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 3.3A，10A
- 电流 - 集电极截止（最大）：700µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20 @ 4A，4V
- 功率 - 最大：115W
- 频率 - 转换：2.5MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-204AA，TO-3
- 供应商设备封装：TO-3
- 包装：托盘
- 其它名称：2N3055GOS
2N3055G