2N3019 供应商
2N3019 属性参数
- 其它有关文件：2N3019 View All Specifications
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 150mA，10V
- 功率 - 最大：800mW
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商设备封装：TO-39
- 包装：管件
- 其它名称：497-2634-5
2N3019