ZXTDE4M832TA 供应商
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ZXTDE4M832TA
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：8-MLP(3x2)/18+
ZXTDE4M832TA 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3.5A，2.5A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V，70V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：325mV @ 300mA，3.5A / 260mV @ 200mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大）：25nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：300 @ 200mA，2V / 40 @ 1.5A，5V
- 功率 - 最大：1W
- 频率 - 转换：160MHz，180MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-MLP
- 供应商设备封装：8-MLP（3x2）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXTDE4M832TATR