ZXTDB2M832TA 供应商
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ZXTDB2M832TA
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：8-MLP(3x2)/18+
ZXTDB2M832TA 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4.5A，3.5A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：270mV @ 125mA，4.5A / 300mV @ 350mA，3.5A
- 电流 - 集电极截止（最大）：25nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V
- 功率 - 最大：1.7W
- 频率 - 转换：140MHz，180MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-MLP
- 供应商设备封装：8-MLP（3x2）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXTDB2M832TATR
ZXTDB2M832TA