ZXTDA1M832TA 供应商
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ZXTDA1M832TA
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：8-MLP(3x2)/18+
ZXTDA1M832TA 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4.5A，4A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：15V，12V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：280mV @ 50mA，4.5A / 300mV @ 150mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大）：25nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 3A，2V / 180 @ 2.5A，2V
- 功率 - 最大：1W
- 频率 - 转换：120MHz，110MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-MLP
- 供应商设备封装：8-MLP（3x2）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXTDA1M832TATR
ZXTDA1M832TA