ZXTD09N50DE6TC 供应商
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ZXTD09N50DE6TC
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：SOT-26/18+
ZXTD09N50DE6TC 属性参数
- 标准包装：10,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：270mV @ 50mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：10nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 500mA，2V
- 功率 - 最大：1.1W
- 频率 - 转换：215MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6
- 供应商设备封装：SOT-23-6
- 包装：带卷 (TR)
ZXTD09N50DE6TC