ZXMN6A25N8TA 供应商
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ZXMN6A25N8TA
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：8-SO/18+
ZXMN6A25N8TA 属性参数
- 制造商：Diodes Inc.
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：60 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：5.7 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms
- 配置：Single Quad Drain Triple Source
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8
- 封装：Reel
- 下降时间：10.6 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2.8 W
- 上升时间：4 ns
- 工厂包装数量：500
- 典型关闭延迟时间：26.2 ns