ZXMN10A08GTA 供应商
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ZXMN10A08GTA
品牌：DIODES 封装/批号：/2021+
ZXMN10A08GTA 属性参数
- 制造商：Diodes Inc.
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：100 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：2.9 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.25 Ohms
- 配置：Single Dual Drain
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-223
- 封装：Reel
- 下降时间：3.2 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2 W
- 上升时间：2.2 ns
- 工厂包装数量：1000
- 典型关闭延迟时间：8 ns