IC元器件

ZXM66P03N8TC

参考价格:¥5.30-¥7.04

MOSFET

ZXM66P03N8TC 供应商

ZXM66P03N8TC 属性参数

  • 制造商:Diodes Inc.
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:- 7.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.035 Ohms
  • 配置:Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SO-8
  • 封装:Reel
  • 下降时间:16.3 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:1.56 W
  • 上升时间:16.3 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 典型关闭延迟时间:94.6 ns

ZXM66P03N8TC 数据手册