ZXM62P03E6TC 供应商
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ZXM62P03E6TC
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：SOT-26/18+
ZXM62P03E6TC 属性参数
- 制造商：Diodes Inc.
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：- 30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 12 V
- 漏极连续电流：1.5 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.23 Ohms
- 配置：Single Quad Drain
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-23-6
- 封装：Reel
- 下降时间：6.4 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：625 mW
- 上升时间：6.4 ns
- 工厂包装数量：10000
- 典型关闭延迟时间：13.9 ns
ZXM62P03E6TC