IC元器件

ZVNL120G

参考价格:RMB4.35-RMB5.70

MOSFET 晶体管

ZVNL120G 供应商

ZVNL120G 属性参数

  • 典型关断延迟时间:20 ns
  • 典型接通延迟时间:8 ns
  • 典型输入电容值@Vds:85 pF V @ 25
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:3.7mm
  • 封装类型:SOT-223
  • 尺寸:6.7 x 3.7 x 1.65mm
  • 引脚数目:4
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:2 W
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:200 V
  • 最大漏源电阻值:10
  • 最大连续漏极电流:0.32 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:双漏极、单
  • 长度:6.7mm
  • 高度:1.65mm

ZVNL120G 数据手册