ZDT795ATA 属性参数
- 标准包装：1,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：2 PNP（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：140V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：300 @ 10mA，2V
- 功率 - 最大：2.75W
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-223-8
- 供应商设备封装：SM8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZDT795ATA-NDZDT795ATR