VS-GT100DA60U 供应商
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VS-GT100DA60U
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division 封装/批号:标准封装/23+ -
VS-GT100DA60U
品牌:VISHAY 封装/批号:SOT-227/21+ -
VS-GT100DA60U
品牌:Vishay 封装/批号:标准封装/21+ -
VS-GT100DA60U
品牌:Vishay 封装/批号:标准封装/22+ -
VS-GT100DA60U
品牌:Vishay 封装/批号:标准封装/22+
VS-GT100DA60U 属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:停产
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟道
- 配置:单路
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):184 A
- 功率 - 最大值:577 W
- 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,100A
- 电流 - 集电极截止(最大值):100 μA
- 不同?Vce 时输入电容 (Cies):-
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227