US6T9TR 供应商
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US6T9TR
品牌：ROHM/ELNAF 封装/批号：SOT363/1816+
US6T9TR 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：2 PNP（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 25mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：270 @ 100mA，2V
- 功率 - 最大：400mW
- 频率 - 转换：320MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：UMT6
- 包装：带卷 (TR)