UCD74106RGMT 供应商
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UCD74106RGMT
品牌:TI 封装/批号:原厂原装/22+ -
UCD74106RGMT
品牌:TI(德州仪器) 封装/批号:VQFN-13(3x3)/2022+
UCD74106RGMT 属性参数
- 标准包装:250
- 类别:集成电路 (IC)
- 家庭:PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
- 系列:-
- 类型:降压(降压)
- 输出类型:-
- 输出数:1
- 输出电压:-
- 输入电压:2.2 V ~ 16 V
- PWM 型:-
- 频率 - 开关:2MHz
- 电流 - 输出:6A
- 同步整流器:是
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:13-VFQFN
- 包装:带卷 (TR)
- 供应商设备封装:13-VQFN(3x3)
产品特性
- 具有单相位与多相位同步降压转换器驱动器的全集成电源开关
- 与 TI Fusion 数字电源控制器完全兼容,(UCD91xx 和 UCD92xx 系列)
- 与模拟域控制器兼容
- 宽泛的输入电压: 4.5V 至 18V 支持外部偏置电源,低至 2.2V 的工作输入电压
- 4.5V 至 18V
- 支持外部偏置电源,低至 2.2V 的工作输入电压
- 高达 6A 的输出电流
- 工作开关频率 2MHz
- 具有电流限制标记的电流限值
- VIN 提供板载经稳压 6V 驱动器电源
- 热保护及监控
- 单相位与多相位应用的数控同步降压功率级
- 台式机、服务器、电信以及笔记本应用的小型高效稳压器
- 同步降压功率级
产品概述
UCD74106 是一款可驱动降压电源的完整电源系统 ()。 在一个单片解决方案中全面集成高侧 MOSFET,低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),驱动器,电流感测电路以及必要的保护功能,以有助于实现最小尺寸与最高效率。 驱动器电路可在同步降压电路中为高侧 NMOS 开关和低侧 NMOS 同步整流器提供高充电及放电电流。 MOSFET 栅极由内部已稳压 VGG 电源驱动至 6.25V。 可禁用内部 VGG 稳压器,以允许用户提供一个独立的栅极驱动电压。 这种高灵活性支持 2.2V 至 18V 的宽功率转换输入电压。内部欠压闭锁 (UVLO) 逻辑可在允许芯片工作之前确保 VGG 正常。驱动逻辑模块可支持两个工作模式中的一个。 在同步模式下,该逻辑模块可使用 PWM 信号来控制高侧与低侧栅极驱动信号。 已优化死区时间以防止交叉传导。 同步整流器使能 (SRE) 引脚在 PWM 信号为低电平时控制低侧 MOSFET 是否打开。
UCD74106RGMT 电路图
