UCC5390ECQDWVRQ1 供应商
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UCC5390ECQDWVRQ1
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
UCC5390ECQDWVRQ1
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：SOIC-8/2022+
UCC5390ECQDWVRQ1 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥24.88000剪切带（CT）1,000 : ￥14.09518卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：容性耦合
- 通道数：1
- 电压 - 隔离：5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度（最小值）：120kV/μs
- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：60ns，60ns
- 脉宽失真（最大）：20ns
- 上升/下降时间（典型值）：10ns，10ns
- 电流 - 输出高、低：17A，17A
- 电流 - 峰值输出：10A
- 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：-
- 电流 - DC 正向 (If)（最大值）：-
- 电压 -?输出供电：13.2V ~ 33V
- 工作温度：-40°C ~ 150°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC
- 认证机构：CQC，UL，VDE
产品特性
- 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 温度等级 1 HBM ESD 分类等级 H2 CDM ESD 分类等级 C6
- 温度等级 1
- HBM ESD 分类等级 H2
- CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型 可提供用于功能安全系统设计的文档
- 可提供用于功能安全系统设计的文档
- 以 GND2 为基准的 12V UVLO
- 8 引脚 DWV（8.5mm 爬电）封装
- 60ns（典型值）传播延迟
- 较小的器件间传播延迟偏移
- 100V/ns 最小 CMTI
- 10A 最小峰值电流
- 3V 至 15V 输入电源电压
- 驱动器电源电压高达 33V
- 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
- 安全相关认证： 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 7000VPK 隔离 (DWV)（计划） 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS (DWV) 隔离等级 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 7000VPK 隔离 (DWV)（计划）
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS (DWV) 隔离等级
- 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
- CMOS 输入
- 工作结温：-40°C 至 +150°C
产品概述
UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 最小峰值拉电流和 10A 最小峰值灌电流，专为驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 而设计。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 为基准，有利于使用双极电源并优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。UCC5390-Q1 采用 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可支持高达 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，隔离栅寿命超过 40 年。凭借高驱动强度和真正的 UVLO 检测，该器件非常适用于在车载充电器和牵引逆变器等应用中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。与光耦合器相比，UCC5390-Q1 的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。
UCC5390ECQDWVRQ1 电路图
