UCC28061QDRQ1 供应商
-
UCC28061QDRQ1
品牌:TI 封装/批号:原厂原装/22+ -
UCC28061QDRQ1
品牌:TI 封装/批号:SOIC-16/24+ -
UCC28061QDRQ1
品牌:TI(德州仪器) 封装/批号:SOP-16/2022+ -
UCC28061QDRQ1
品牌:TI 封装/批号:TSSOP/23+
UCC28061QDRQ1 属性参数
- 标准包装:2,500
- 类别:集成电路 (IC)
- 家庭:PMIC - PFC(功率因数修正)
- 系列:Natural Interleaving™
- 模式:间歇(跃迁)
- 频率 - 开关:500kHz
- 电流 - 启动:100µA
- 电源电压:14 V ~ 21 V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:16-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
产品特性
- 符合汽车应用要求
- 符合 AEC-Q100 标准的下列结果器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
- 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
- 简便相位管理使得符合轻负载高效标准变得更加容易
- 双路故障安全过压保护 (OVP) 防止由电压感测故障引起的输出过压情况
- 无传感器电流整形简化了电路板设计并提升了效率
- 涌入安全电流限制: 涌入期间防止金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 传导 消除了输出整流器内的反向恢复事件
- 涌入期间防止金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 传导
- 消除了输出整流器内的反向恢复事件
产品概述
针对对可闻噪声消除有要求的消费类应用,这个解决方案将转换模式的优势--使用低成本组件实现高效率--扩展至比之前的可能值更高的额定功率值。 通过使用一个 Natural Interleaving 技术,两个作为信道运行的信道(也就是说,没有从信道)与同一频率同步。 这个方法从内部产生了强匹配、更快速的响应、并确保每个信道都运行在转换模式。完整的系统级保护特有输入欠压保护、输出过压保护、开环路保护、过载保护、软启动、相位故障检测、和热关断功能。 附加的故障安全过压保护 (OVP) 特性防止到一个中间电压的短路,如果没有检测到此短路的话,有可能导致非常严重的器件故障。
UCC28061QDRQ1 电路图
