TXS4555RUTR 供应商
-
TXS4555RUTR
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
TXS4555RUTR
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：UQFN12/21+ -
TXS4555RUTR
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：12-UFQFN/2022+ -
TXS4555RUTR
品牌：TI 封装/批号：TSSOP/23+
TXS4555RUTR 属性参数
- 特色产品：TXS4555 SIM Card Solution
- 标准包装：1
- 类别：集成电路 (IC)
- 家庭：逻辑 - 变换器
- 系列：-
- 逻辑功能：电平移位器
- 位数：1
- 输入类型：电压
- 输出类型：电压
- 数据速率：-
- 通道数：1
- 输出/通道数目：1
- 差分 - 输入:输出：无/无
- 传输延迟（最大）：-
- 电源电压：1.65 V ~ 3.3 V，2.3 V ~ 5.5 V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳：12-UFQFN
- 供应商设备封装：12-UQFN（2.0x1.7）
- 包装：®
- 其它名称：296-28451-6
产品特性
- 电平转换器1.65V 至 3.3V 的 VCC范围 2.3 至 5.5V 的 VBATT范围
- 1.65V 至 3.3V 的 VCC范围
- 2.3 至 5.5V 的 VBATT范围
- 低压降 (LDO) 稳压器带有使能的 50mA LDO 稳压器 1.8V 至 2.95V 可选输出电压 2.3V 至 5.5V 输入电压范围 极低压降：电流为 50mA 时为 100mV（最大值）
- 带有使能的 50mA LDO 稳压器
- 1.8V 至 2.95V 可选输出电压
- 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
- 极低压降：电流为 50mA 时为 100mV（最大值）
- 为 SIM 卡信号整合了关断特性，符合 ISO-7816-3 标准
- 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求2000V 人体模型 (A114-A) 500V 充电器件模型 (C101) 针对 SIM 引脚的 8kV
- 2000V 人体模型 (A114-A)
- 500V 充电器件模型 (C101)
- 针对 SIM 引脚的 8kV
- 封装16 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (3mm x 3mm) 12 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (2mm x 1.7mm)
- 16 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (3mm x 3mm)
- 12 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (2mm x 1.7mm)
产品概述
TXS4555 是一款完整的智能身份模块 (SIM) 卡解决方案，可用来将无线基带处理器与 SIM 卡对接，从而可为移动手持终端应用存储 I/O 数据。 该器件不但符合
ISO/IEC 智能卡接口要求，而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 B 类 (2.95V) 与 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器，一个低压降 (LDO)
稳压器，此稳压器具有可在 2.95V B 类与 1.8V C 类接口之间选择的输出电压。请注意：裸露的中心散热焊盘必须连接至接地。该器件具有两组电源电压引脚。 VCC 支持 1.65V 至 3.3V 的整个电压范围，而 VBATT则支持
2.3 至 5.5V 间的电压。VPWR 可设置为 1.8V 或 2.95V，并由内部 LDO 供电。 集成型 LDO 可接受高达 5.5V 的输入电压，并可在 50mA 电流下向 B
端电路系统及外部 SIM 卡输出 1.8V 或 2.95V 的电压。 TXS4555 可帮助系统设计人员轻松将低电压微处理器连接至工作电压为 1.8V 或 2.95V 的 SIM 卡。此外，TXS4555 还根据针对 SIM 卡的 ISO 7816-3 技术规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 SIM 卡信号的适当关断可在电话意外关机时保护数据免受损坏。
该器件不但可为 SIM 引脚提供 8kV HBM 保护，而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。