TPS51206DSQT 供应商
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TPS51206DSQT
品牌：TI 封装/批号：NA/2023+ -
TPS51206DSQT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
TPS51206DSQT
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+
TPS51206DSQT 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：集成电路 (IC)
- 家庭：PMIC - 稳压器 - 专用型
- 系列：-
- 应用：转换器，DDR2，DDR3，DDR3L
- 输入电压：3.1 V ~ 6.5 V
- 输出数：1
- 输出电压：-0.1 V ~ 3.5 V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：10-WFDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：10-SON（2x2）
- 包装：®
- 其它名称：296-32490-6
产品特性
- 电源输入电压：支持 3.3V 和 5V 电源轨
- VLDOIN 输入电压范围：VTT+0.4V 至 3.5V
- VTT 端接稳压器输出电压范围：0.5V 至 0.9V2A 峰值灌电流和拉电流仅需 10µF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容±20mV 精度
- 输出电压范围：0.5V 至 0.9V
- 2A 峰值灌电流和拉电流
- 仅需 10µF 的多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容
- ±20mV 精度
- VTTREF 缓冲参考输出VDDQ/2 ± 1% 精度10mA 灌/拉电流
- VDDQ/2 ± 1% 精度
- 10mA 灌/拉电流
- 支持高阻态（S3 状态）和软停止（S4 和 S5 状态），通过 S3 和 S5 输入选择
- 过热保护
- 10 引脚 2mm × 2mm 小外形尺寸无引线 (SON) (DSQ) 封装
产品概述
TPS51206 器件是具有 VTTREF 缓冲基准输出的灌电流/拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器。该器件专门针对低输入电压、低成本、低外部组件数的空间受限型系统而设计。该器件可保持快速的瞬态响应，并且仅需 1 个 10µF 的陶瓷输出电容。该器件支持遥感功能，并且可满足 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 (DDR3L) 及 DDR4 VTT 总线的所有电源要求。VTT 具有 ±2A 峰值电流能力。该器件支持所有 DDR 电源状态，在 S3 状态下将 VTT 置于高阻态（挂起到 RAM）；在 S4/S5 状态下使 VTT 和 VTTREF 放电（挂起到磁盘）。TPS51206 器件采用 10 引脚 2mm × 2mm SON (DSQ) PowerPAD™封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C。
TPS51206DSQT 电路图
