TPS28226DRBT 供应商
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TPS28226DRBT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+
TPS28226DRBT 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：集成电路 (IC)
- 家庭：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 系列：-
- 配置：高端和低端，同步
- 输入类型：PWM
- 延迟时间：-
- 电流 - 峰：2A
- 配置数：1
- 输出数：2
- 高端电压 - 最大（自引导启动）：33V
- 电源电压：6.8 V ~ 8.8 V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON 裸露焊盘（3x3）
- 包装：®
- 其它名称：296-22854-6
产品特性
- 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
- 宽栅极驱动电压：4.5V 至最高 8.8V，7V 至 8V 时效率最佳
- 动力总成系统宽输入电压：3V 至最高 27V
- 宽输入 PWM 信号：2.0V 至最高 13.2V 幅值
- 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
- 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升/下降时间支持 2MHz 的 FSW
- 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
- 低侧驱动器（灌入）导通电阻 (0.4Ω) 可防止与 dV/dT 相关的击穿电流
- 三态 PWM 输入可实现电源级关断
- 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
- 热关断
- UVLO 保护
- 内部自举二极管
- 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
- 常见三态输入驱动器的高性能替代产品
产品概述
TPS28225 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流单相和多相直流/直流转换器。TPS28225 解决方案具有高效率和小尺寸，并提供低 EMI 发射。其高效率通过高达 8.8V 的栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力实现。较低栅极驱动器的 0.4Ω 阻抗保持功率 MOSFET 的栅极低于其阈值，并确保在高 dV/dt 相位结点转换中不会产生击穿电流。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。
TPS28226DRBT 数据手册
TPS28226DRBT
TPS28226DRBT 电路图
