TPS28225TDRBRQ1 供应商
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TPS28225TDRBRQ1
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
TPS28225TDRBRQ1
品牌：TI 封装/批号：VQFN/21+ -
TPS28225TDRBRQ1
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+
TPS28225TDRBRQ1 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：集成电路 (IC)
- 家庭：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 系列：-
- 配置：高端和低端，同步
- 输入类型：PWM
- 延迟时间：-
- 电流 - 峰：6A
- 配置数：1
- 输出数：2
- 高端电压 - 最大（自引导启动）：33V
- 电源电压：4.5 V ~ 8.8 V
- 工作温度：-40°C ~ 105°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON 裸露焊盘（3x3）
- 包装：带卷 (TR)
产品特性
- 符合汽车应用要求
- 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
- 宽栅极驱动电压：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 时效率最高
- 动力总成系统宽输入电压：3V 至 27V
- 宽输入 PWM 信号：2V 至 13.2V 振幅
- 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
- 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间支持高达 2MHz 的 FSW
- 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
- 低侧驱动器灌入导通电阻 (0.4Ω) 防止与 dV/dT 相关的击穿电流
- 用于功率级关断的三态 PWM 输入
- 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
- 热关断
- UVLO 保护
- 内部自举二极管
- 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
- 常见三态输入驱动器的高性能替代产品
产品概述
TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流、单相和多相直流/直流转换器。TPS28225-Q1 是一个提供高效率、小尺寸、低 EMI 发射的解决方案。TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的栅极低于它的阈值并确保在dV/dt相位结点转换中不会产生击穿电压。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。TPS28225-Q1 采用经济型 SOIC-8 封装和耐热增强型小尺寸 VSON 封装。此驱动器的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最大结温为 150°C。
TPS28225TDRBRQ1 电路图
