TLV1805QDBVRQ1 供应商
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TLV1805QDBVRQ1
品牌：TI 封装/批号：SOT23-6/22+ -
TLV1805QDBVRQ1
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：SOT-23-6/2022+ -
TLV1805QDBVRQ1
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+
TLV1805QDBVRQ1 属性参数
- 现有数量：14,031现货
- 价格：1 : ￥9.06000剪切带（CT）3,000 : ￥4.11407卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 类型：通用
- 元件数：1
- 输出类型：推挽式
- 电压 - 供电，单/双?(±)：3.3V ~ 40V，±1.65V ~ 20V
- 电压 - 输入补偿（最大值）：4.5mV @ 40V
- 电流 - 输入偏置（最大值）：500pA
- 电流 - 输出（典型值）：85mA @ 40V
- 电流 - 静态（最大值）：150μA
- CMRR，PSRR（典型值）：60dB CMRR，70dB PSRR
- 传播延迟（最大值）：250ns（标准）
- 滞后：15mV
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
- 封装/外壳：SOT-23-6
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SOT-23-6
产品特性
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 的环境工作温度范围器件 HBM ESD 分类等级 2器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 的环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 电源电压范围：3.3V 至 40V
- 低静态电流：135µA
- 高峰值电流推挽输出
- 具有相位反转保护功能的轨至轨输入
- 内置迟滞：14mV
- 250ns 传播延迟
- 低输入失调电压：500µV
- 关断后具有高阻态输出
- 上电复位 (POR)
- SOT-23-6 封装
产品概述
TLV1805-Q1 高电压比较器集独特的宽电源范围、推挽输出、轨至轨输入、低静态电流、关断功能和快速输出响应组合特性于一体。所有这些 特性 使该比较器非常适合 需要 在正电压轨或负电压轨上进行检测的应用，例如智能二极管控制器的反向电流保护、过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动 P 沟道或 N 沟道 MOSFET 开关的栅极。高峰值电流推挽输出级是高电压比较器的一个特色，它具有允许输出以较快的边沿速率主动将负载驱动至任一电源轨的优势。对于需要快速 将 MOSFET 栅极 驱动至高电平或低电平以将主机连接至电压高于预期的电源或与其断开的应用而言，这特别有用。其他 特性 （如低输入失调电压、低输入偏置电流和高阻态关断）使 TLV1805-Q1 能够灵活地处理各种 应用的要求。上电复位可防止加电时产生错误输出。TLV1805-Q1 采用 6 引脚 SOT-23 封装并符合 AEC-Q100 标准，具有 –40°C 至 +125°C 的汽车 1 级温度范围。