TAS5755MDFD 供应商
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TAS5755MDFD
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
TAS5755MDFDR
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：HTSSOP56/21+ -
TAS5755MDFDR
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：HTSSOP-56/2022+ -
TAS5755MDFDR
品牌：TI 封装/批号：HTSSOP56/21+ -
TAS5755MDFDR
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+
TAS5755MDFD 属性参数
- 现有数量：140现货9,975Factory
- 价格：1 : ￥41.74000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- 类型：D 类
- 输出类型：1-通道（单声道）或 2-通道（立体声）
- 不同负载时最大输出功率 x 通道数：-
- 电压 - 供电：3V ~ 3.6V
- 特性：短路和热保护
- 安装类型：表面贴装型
- 工作温度：0°C ~ 125°C（TJ）
- 供应商器件封装：56-HTSSOP
- 封装/外壳：56-PowerTSSOP（0.240"，6.10mm 宽）
产品特性
- 解决方案尺寸更小支持单芯片 2.1、2.0 和单声道模式单声道 (PBTL) 模式采用单滤波器。焊盘朝上封装和 80mΩ RDSON 增强热性能
- 支持单芯片 2.1、2.0 和单声道模式
- 单声道 (PBTL) 模式采用单滤波器。
- 焊盘朝上封装和 80mΩ RDSON 增强热性能
- 支持高输出功率： 2.1 模式 可提供 2 × 19W +1 × 50W 的输出功率（2 × 4Ω + 1 × 6Ω，24V）2.0 模式可提供 2 × 50W 的输出功率（2 × 6Ω，24V）单声道模式可提供 1 × 100W 的输出功率（1 × 2Ω，24V）宽电源电压范围：8V 至 26.4V
- 2.1 模式 可提供 2 × 19W +1 × 50W 的输出功率（2 × 4Ω + 1 × 6Ω，24V）
- 2.0 模式可提供 2 × 50W 的输出功率（2 × 6Ω，24V）
- 单声道模式可提供 1 × 100W 的输出功率（1 × 2Ω，24V）
- 宽电源电压范围：8V 至 26.4V
- 音频性能： 频率为 1kHz 时，THD+N ≤ 0.05%（RSPK = 8Ω，POUT = 1W，PVDD = 18V） ICN ≤ 50µVRMS 串扰 ≤ - 67dB SNR ≥ 104dB提供 BD 调制功能，提高音频性能和效率。
- 频率为 1kHz 时，THD+N ≤ 0.05%（RSPK = 8Ω，POUT = 1W，PVDD = 18V）
- ICN ≤ 50µVRMS
- 串扰 ≤ - 67dB
- SNR ≥ 104dB
- 提供 BD 调制功能，提高音频性能和效率。
- 集成式音频处理： 2 × 8 + 1 × 2 双二阶滤波器 双频带 + 单频带可配置动态范围控制 (DRC)免许可证的 3D 音效信号混合和直流阻断滤波器自动速率检测
- 2 × 8 + 1 × 2 双二阶滤波器
- 双频带 + 单频带可配置动态范围控制 (DRC)
- 免许可证的 3D 音效
- 信号混合和直流阻断滤波器
- 自动速率检测
- 集成式自保护 热保护 过流限制保护欠压保护
- 热保护
- 过流限制保护
- 欠压保护
产品概述
TAS5755M 是具有集成式处理功能的单芯片灵活数字音频解决方案，支持 2.1（2 个扬声器 + 1 个低音炮）、2.0 或立体声（2 个扬声器）和单声道（高功率扬声器）模式。该器件具有高效率，RDSON 低至 80mΩ，并且采用焊盘朝上封装，输出功率高达 2 × 50W 或 1 × 100W。 TAS5755M 的立体声模式中的每个通道都使用 2 个全 H 桥。在 2.1 模式中，TAS5755M 使用 2 个半桥驱动 2 个独立的扬声器通道，同时使用 1 个全桥驱动低音炮。此外，在单声道模式中，TAS5755M 使用单级滤波器支持预滤波并联桥接式负载 (PBTL)，减少了系统总尺寸并降低了成本。 TAS5755M 具有集成式音频处理功能。它包括：信号混合、直流阻断滤波器、2 × 8 + 1 × 2 双二阶滤波器，从而实现均衡。通过双频带对数式 DRC 和用于低音炮通道的单独单频带 DRC 实现功率限制。
TAS5755MDFD 电路图
