IC元器件

SUP75N06-08-E3

MOSFET

SUP75N06-08-E3 供应商

SUP75N06-08-E3 属性参数

  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):8 mOhms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220AB-3
  • 封装:Tube
  • 下降时间:20 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:250 W
  • 上升时间:95 ns
  • 工厂包装数量:500
  • 商标名:TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间:65 ns