SUB85N02-03 供应商
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SUB85N02-03
品牌：VISHAY 封装/批号：/最新批号 -
SUB85N02-03-E3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：TO-263/21+
SUB85N02-03 属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：20 V
- 闸/源击穿电压：+/- 8 V
- 漏极连续电流：85 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TO-263-3
- 封装：Tube
- 下降时间：320 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：250 W
- 上升时间：200 ns
- 工厂包装数量：800
- 商标名：TrenchFET
- 典型关闭延迟时间：450 ns
SUB85N02-03