STW26NM60ND 供应商
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STW26NM60ND
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-247/2024+
STW26NM60ND 属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：FDmesh? II
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：175 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1817 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247-3
- 封装/外壳：TO-247-3
STW26NM60ND