STW24N60DM2 供应商
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STW24N60DM2
品牌:isc/固电半导体 封装/批号:TO-247/2024+ -
STW24N60DM2
品牌:STM 封装/批号:TO-247-3/21+ -
STW24N60DM2
品牌:ST/ELNAF 封装/批号:TO247/1803+
STW24N60DM2 属性参数
- 现有数量:14现货
- 价格:1 : ¥40.94000管件
- 系列:FDmesh? II Plus
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):200 毫欧 @ 9A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):29 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1055 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):150W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3