IC元器件

STW16NB60

STMicroelectronics MOSFET

STW16NB60 供应商

STW16NB60 属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：600 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：16 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.35 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-247
  • 封装：Tube
  • 下降时间：12 ns
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：220 W
  • 上升时间：16 ns
  • 工厂包装数量：30

STW16NB60 数据手册

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