STP1N105K3 供应商
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STP1N105K3
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-220/2024+
STP1N105K3 属性参数
- 现有数量：565现货
- 价格：1 : ￥12.40000管件
- 系列：SuperMESH3?
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1050 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 欧姆 @ 600mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：180 pF @ 100 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220
- 封装/外壳：TO-220-3
STP1N105K3