STL57N65M5 供应商
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STL57N65M5
品牌:STM 封装/批号:8-PowerVDFN/21+ -
STL57N65M5
品牌:ST/ELNAF 封装/批号:8-VDFN/1914+ -
STL57N65M5
品牌:ST 封装/批号:TSSOP/23+
STL57N65M5 属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥91.26000剪切带(CT)3,000 : ¥55.63185卷带(TR)
- 系列:MDmesh? V
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A(Ta),22.5A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):69 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):110 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4200 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),189W(Tc)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8)HV
- 封装/外壳:8-PowerVDFN